গণনা এবং গ্রাফিক কাজের জন্য অ্যাসাইনমেন্ট।
চিত্র 1-এ একটি তিন-ফেজ সার্কিটের জন্য, নন-সাইনুসয়েডাল পর্যায়ক্রমিক (T=1/f=1/50=0.02s), emf। e A (t), e B (t), e C (t) সমান প্রশস্ততা E m, একে অপরের থেকে শুধুমাত্র t f =2π/3ω=T/3 দ্বারা একটি সময় পরিবর্তনের দ্বারা পৃথক, এটি প্রাপ্ত করা প্রয়োজন:
1. প্রাথমিক তথ্য।
Em=180 V; রাব=৪৫ ওহম; Rbc = 40 ওহম; Rca = 30 ওহম; Cca=75uF; ল্যাব = 0.15 Hn;
মৌলিক হারমোনিক ফ্রিকোয়েন্সি f=50 Hz। e.m.f এর আকৃতি - আয়তক্ষেত্রাকার.
লোড সংযোগ চিত্র:
চিত্র 1. - গণনাকৃত স্কিম
^
2. ফুরিয়ার সিরিজ সম্প্রসারণ।
ফেজ emfs এর সুরেলা রচনা প্রাপ্ত করা। আমরা আমাদের চিত্রের তথ্য অনুসারে ফুরিয়ার সিরিজ থেকে প্রথম তিনটি অ-শূন্য উপাদান তৈরি করব:
চিত্র 2. – নির্দিষ্ট নন-সাইনুসয়েডাল E.M.F.
চিত্র 3. – হারমোনিক্স যা ভোল্টেজ eA(t) তৈরি করে
ফেজ ভোল্টেজের কার্যকরী মান খুঁজে বের করা যাক:
চিত্র 4 মান দেখায়
eSt=eAt+eBt+eСt≠0
এর উপস্থিতি অ-সাইনোসয়েডাল থ্রি-ফেজ ইএমএফের প্রদত্ত সিস্টেমের অসাম্যতা নিশ্চিত করে। এই মান হল সমস্ত শূন্য-সিকোয়েন্স হারমোনিক্সের সমষ্টি (এই ক্ষেত্রে, শুধুমাত্র তৃতীয় ক্রম হারমোনিক্স)।
রৈখিক ভোল্টেজের তাত্ক্ষণিক মান:
চলুন লিনিয়ার ভোল্টেজের কার্যকরী মান খুঁজে বের করা যাক:
^
3. প্রতিরোধের গণনা:
রৈখিক স্রোত খুঁজে পেতে, আমরা প্রথম, তৃতীয় এবং পঞ্চম হারমোনিক্সের মোট জটিল প্রতিরোধ নির্ধারণ করি।
ab:,
চলুন বর্তমান পর্ব "ab" এর হারমোনিক্সের জটিল প্রশস্ততা নির্ধারণ করি:
চলুন বর্তমান পর্ব "bс" এর হারমোনিক্সের জটিল প্রশস্ততা নির্ধারণ করি:
চলুন বর্তমান পর্ব "ca" এর হারমোনিক্সের জটিল প্রশস্ততা নির্ধারণ করি:
ফেজ স্রোতের তাত্ক্ষণিক মান:
চিত্র 5. – ফেজ স্রোত
ফেজ স্রোতের কার্যকরী মান:
চলুন আমরা বর্তমান লাইন "a" এর হারমোনিক্সের জটিল প্রশস্ততা নির্ধারণ করি:
আসুন "b" কারেন্ট লাইনের হারমোনিক্সের জটিল প্রশস্ততা নির্ধারণ করি:
আসুন "c" কারেন্ট লাইনের হারমোনিক্সের জটিল প্রশস্ততা নির্ধারণ করি:
লাইন স্রোতের তাত্ক্ষণিক মান:
চিত্র 6. – রৈখিক স্রোত
লাইন স্রোতের কার্যকরী মান:
^5. শক্তি:
ফেজ "ab" এর সক্রিয় শক্তি:
ফেজ "ab" এর প্রতিক্রিয়াশীল শক্তি:
ফেজ "ab" এর পাওয়ার ফ্যাক্টর:
ফেজ "bc" এর সক্রিয় শক্তি:
ফেজ "bc" এর প্রতিক্রিয়াশীল শক্তি:
ফেজ "bc" এর পাওয়ার ফ্যাক্টর:
ফেজ "ca" এর সক্রিয় শক্তি:
ফেজ "ca" এর প্রতিক্রিয়াশীল শক্তি:
ফেজ পাওয়ার ফ্যাক্টর "ca":
তিন-ফেজ সিস্টেমের মোট সক্রিয় শক্তি:
তিন-ফেজ সিস্টেমের মোট প্রতিক্রিয়াশীল শক্তি:
পূর্ণ শক্তি:
পর্যায় অনুসারে মোট আপাত ক্ষমতা:
আপাত শক্তি:
আপাত মোট শক্তি প্রকৃত শক্তির চেয়ে বেশি।
সাধারণীকৃত পাওয়ার ফ্যাক্টর
^
6. নিরপেক্ষ স্থানচ্যুতি গণনা:
একটি ত্রিভুজকে একটি সমতুল নক্ষত্রে রূপান্তর করা:
ফেজ "এ" প্রতিরোধ:
ফেজ "বি" প্রতিরোধ:
ফেজ "সি" প্রতিরোধ:
নিরপেক্ষ বিন্দুর মধ্যে জটিল ভোল্টেজ প্রশস্ততা নির্ধারণ:
কার্যকরী নিরপেক্ষ অফসেট মান:
^
7. প্রতিসম উপাদানে পচন:
জরুরী অবস্থা হিসাবে "ab" ফেজ ব্রেক বেছে নেওয়া যাক। যেহেতু a, b এবং c বিন্দুর সম্ভাব্যতা শুধুমাত্র উৎস পরামিতির উপর নির্ভর করে, তাই লাইন ভোল্টেজ অপরিবর্তিত থাকবে। ফলস্বরূপ, ফেজ "ab" এ কারেন্ট হবে শূন্যের সমান, এবং বাকি ফেজ স্রোত অপরিবর্তিত থাকবে।
চিত্র 9. – ফেজ "a" এ বিরতি সহ সার্কিট
স্ট্রেস পচন:
প্রথম সুরেলা:
পঞ্চম হারমোনিক:
বর্তমান পচন:
প্রথম সুরেলা:
পঞ্চম হারমোনিক:
ওহমের সূত্র ব্যবহার করে, আমরা প্রত্যক্ষ, ঋণাত্মক এবং শূন্য অনুক্রমের মোট জটিল রোধ খুঁজে পাই:
প্রথম সুরেলা:
পঞ্চম হারমোনিক:
চিত্র 10। – প্রথম ভোল্টেজ হারমোনিক
চিত্র 11। – পঞ্চম হারমোনিক ভোল্টেজ
চিত্র 12। স্রোতের প্রথম সুরেলা
চিত্র13। পঞ্চম সুরেলা স্রোত
উপসংহার: এই কাজের সময়, আমি এই সিদ্ধান্তে উপনীত হয়েছি যে উপরে উপস্থাপিতগুলির মতো জটিল গণনা সম্পাদন করার সময়, প্রায় নিখুঁত নির্ভুলতা এবং যত্নের প্রয়োজন হয়, যেহেতু একটি ছোট ত্রুটি বা ভুলতার কারণে ভুল ফলাফলের একটি সিরিজ রয়েছে, যা ক্ষতিকারক। শেষ পর্যন্ত কাজের উপর প্রভাব।
গ্রন্থপঞ্জি
বেসোনভ এল.এ. . পাঠ্যপুস্তক - এম.: গার্ডারিকি 2000, 638 পি।
বৈদ্যুতিক প্রকৌশলের তাত্ত্বিক ভিত্তি। টি.আই. রৈখিক সার্কিট তত্ত্বের মৌলিক বিষয়। এড. P.A. অয়নকিনা। - এম.: উচ্চ বিদ্যালয়, 1976, 544 পি।
মানগুলিকে বাস্তবে রূপান্তর করতে আপনার প্রয়োজন:
উপরে বিন্দু আমিমানে এটা জটিল।
কারেন্টের সাথে বিভ্রান্ত না হওয়ার জন্য, বৈদ্যুতিক প্রকৌশলে একটি জটিল ইউনিটকে "j" অক্ষর দ্বারা চিহ্নিত করা হয়।
একটি প্রদত্ত ভোল্টেজের জন্য আমাদের আছে:
সমস্যাগুলি সমাধান করার সময়, তারা সাধারণত কার্যকর মানগুলির সাথে কাজ করে।
বিকল্প কারেন্টে নতুন উপাদান প্রবর্তিত হয়:
| L - [Gn] | ||
| ক্যাপাসিটর [ক্যাপাসিট্যান্স] | S – [F] |  |
তাদের প্রতিরোধের (প্রতিক্রিয়া) পাওয়া যায়: 
(ক্যাপাসিটরের প্রতিরোধ নেতিবাচক)
উদাহরণস্বরূপ, আমাদের একটি সার্কিট আছে, এটি 200 V এর ভোল্টেজের সাথে সংযুক্ত, 100 Hz এর ফ্রিকোয়েন্সি রয়েছে। আমাদের কারেন্ট খুঁজে বের করতে হবে। উপাদান পরামিতি সেট করা হয়:
কারেন্ট খুঁজে পেতে, আপনাকে ভোল্টেজকে রেজিস্ট্যান্স দিয়ে ভাগ করতে হবে (ওহমের সূত্র থেকে)। এখানে প্রধান কাজ হল প্রতিরোধ খুঁজে বের করা।
জটিল প্রতিরোধের হিসাবে পাওয়া যায়:
আমরা ভোল্টেজকে রেজিস্ট্যান্স দিয়ে ভাগ করি এবং কারেন্ট পাই।
এই সমস্ত কর্ম সুবিধামত MathCad বাহিত হয়. জটিল এককটিকে "1i" বা "1j" রাখা হয়। যদি এটি সম্ভব না হয়, তাহলে:
এছাড়াও, আসুন ক্ষমতা সম্পর্কে কয়েকটি শব্দ বলি। পাওয়ার হল ডিসি সার্কিটের জন্য কারেন্ট এবং ভোল্টেজের গুণফল। বিকল্প বর্তমান সার্কিটের জন্য, আরেকটি পরামিতি চালু করা হয় - ভোল্টেজ এবং কারেন্টের মধ্যে ফেজ শিফট কোণ (বা বরং এর কোসাইন)।
ধরুন আমরা আগের সার্কিটের জন্য বর্তমান এবং ভোল্টেজ (জটিল আকারে) খুঁজে পেয়েছি। 
অন্য সূত্র ব্যবহার করেও পাওয়ার পাওয়া যাবে: 
এই সূত্রে কনজুগেট কারেন্ট কমপ্লেক্স। কনজুগেট মানে এর কাল্পনিক অংশ (j সহ) তার চিহ্নকে বিপরীতে (মাইনাস/প্লাস) পরিবর্তন করে।
পুনঃ– মানে আসল অংশ (j ছাড়াই)।
এগুলি ছিল সক্রিয় (উপযোগী) শক্তির সূত্র। এসি সার্কিটে, প্রতিক্রিয়াশীল শক্তিও রয়েছে (ক্যাপাসিটর দ্বারা উত্পন্ন, কয়েল দ্বারা ক্ষয়প্রাপ্ত)।
আমি– একটি জটিল সংখ্যার কাল্পনিক অংশ (j সহ একটি)।
প্রতিক্রিয়াশীল এবং সক্রিয় শক্তি জেনে, আপনি সার্কিটের মোট শক্তি গণনা করতে পারেন: 
প্রচুর সংখ্যক শাখা সমন্বিত প্রত্যক্ষ এবং বিকল্প বর্তমান সার্কিটগুলির গণনা সহজ করতে, সার্কিট বিশ্লেষণের একটি সরলীকৃত পদ্ধতি ব্যবহার করুন। আসুন লুপ বর্তমান পদ্ধতিটি ঘনিষ্ঠভাবে দেখি।
এই পদ্ধতিটি স্বাধীন সার্কিটের চেয়ে বেশি নোড ধারণকারী সার্কিটগুলি সমাধান করার জন্য উপযুক্ত (উদাহরণস্বরূপ, সরাসরি কারেন্টের বিভাগ থেকে সার্কিট)। সমাধানের নীতিটি নিম্নরূপ:
এই পদ্ধতিটি, অন্যদের মতো (উদাহরণস্বরূপ, নোডাল সম্ভাবনার পদ্ধতি, সমতুল্য জেনারেটর, সুপারপজিশন) সরাসরি এবং বিকল্প বর্তমান সার্কিটের জন্য উপযুক্ত। বিকল্প বর্তমান সার্কিট গণনা করার সময়, উপাদানগুলির প্রতিরোধগুলি স্বরলিপির একটি জটিল আকারে হ্রাস করা হয়। সমীকরণ পদ্ধতিও জটিল আকারে সমাধান করা হয়।
এবং মনে রাখবেন যে আমাদের সমাধানকারীরা সর্বদা আপনাকে TOE এর সাথে সাহায্য করতে প্রস্তুত। .
